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每周新聞報:產業熱點速讀

2019/6/15 11:01:39      點擊:

1、臺積電:正式啟動2nm工藝研發,預計2024年投產

臺積電宣布正式啟動2nm工藝的研發,工廠位于臺灣新竹的南方科技園,預計2024年投入生產。

2nm工藝是一個重要節點,Metal Track(金屬單元高度)和3nm一樣維持在5x,同時Gate Pitch(晶體管柵極間距)縮小到30nm,Metal Pitch(金屬間距)縮小到20nm,相比于3nm都小了23%。

2、產能、良率將大幅提升!DRAM制程升級,并將用上EUV設備

三星暫定2019年11月開始量產采用EUV技術的1znm DRAM,量產初期將在華城17產線,不過由于與晶圓代工事業部共享EUV設備,所以初期使用量不大,之后平澤工廠也會啟動EUV DRAM量產。

美光也在評估使用EUV設備帶來的DRAM成本效益。SK海力士也有意以EUV制程生產DRAM,積極發展技術。

3、盡量避免使用美國原產技術,傳長鑫存儲已重新設計DRAM芯片

長鑫存儲還無法完全消除威脅,其生產中依然會使用到美國的半導體設備(如Applied Materials、Lam Research及KLA-Tencor)和EDA工具(如Cadence和Synopsys),傳長鑫存儲已經重新設計DRAM芯片,以盡量減少對美國原產技術的使用。

4、存儲器產業支出下降45%!SEMI下調全球晶圓廠設備支出至484億美元

SEMI預估今年存儲器產業支出將下降45%,占今年降幅的絕大部分,但2020年可望強勁復蘇45%至280億美元。以每半年的投資動態來看,今年上半年存儲器支出將減少48%,投入3D NAND和DRAM的資金分別下滑60%和40%;不過,存儲器產業支出可望在今年下半年回穩,并在2020年時呈現復蘇。2020年存儲器相關投資將較今年增加超80億美元,并帶動晶圓廠支出的復蘇,但與 2017、2018 年相比,明年存儲器相關投資仍將遠低于先前水平。

5、繼續增產,美光新廠宣布將于年底量產1Znm LPDDR4,同時還將擴大投資

美光科技廣島工廠新建B2樓已竣工,將在2019下半年增加1Ynm產量,除此之外,預計將在年底啟動第3代工藝即1Znm,將用于低功耗的LPDDR4生產。

美光計劃1α、1βnm工藝將部分在廣島工廠的F棟生產,繼續對日本工廠進行投資,到目前為止的投資,已累計達數十億美元。

6、庫存大,價格跌,淡/旺季交替時節,廠商甚為謹慎

盡管美光、SK海力士、英特爾等紛紛宣布減少Wafer產出,但是目前原廠依然有很大的庫存壓力,再加上正處于淡/旺季交替時節,后續市場走向不明朗,導致NAND Flash相關產品價格持續下滑。

原廠庫存壓力主要表現在Good Die產能過剩,也是影響行業市場SSD價格持續下滑的主要因素。據中國閃存市場ChinaFlashMarket報價顯示,本周(6月11日),行業市場SSD整體下滑,尤其是大容量的512GB價格跌幅明顯,其中PCIe SSD 512GB價格由48美金下跌至47美金,SATA SSD 512GB價格由46美金下跌至45美金,2019年價格累積跌幅均已達24%。

7、美光UFS 2.1產品導入汽車市場應用,并已向客戶送樣,Q3量產

美光汽車級存儲解決方案UFS 2.1已經向汽車客戶開始送樣,預計2019年第三季度將實現批量生產。UFS2.1系列產品是基于64層TLC 3D NAND,容量覆蓋從32GB到256GB。

双色球基本走势图163